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参数资料
| 型号： | TE28F016B3B120 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封装： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件页数： | 36/49页 |
| 文件大小： | 408K |
| 代理商： | TE28F016B3B120 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
E
36
PRELIMINARY
Table 13. DC Characteristics: V
CCQ
= 1.8V
–2.2V
(Continued)
Sym
Parameter
Notes
V
CC1
:
2.7V–2.85V
V
CC2
:
2.7V–3.3V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
CCW
V
CC
Program Current
1,4,7
8
20
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Program in Progress
8
20
mA
V
PP
= V
PPH3
(12V)
Program in Progress
I
CCE
V
CC
Erase Current
1,4,7
8
20
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Erase in Progress
8
20
mA
V
= V
(12V)
Erase in Progress
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
1,2,4,7
20
50
μA
CE# = V
IH
Erase Suspend in Progress
I
CCWS
V
Program Suspend
Current
1,2,4,7
20
50
μA
CE# = V
Program Suspend in Progress
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down
Current
1
0.2
5
μA
RP# = GND ± 0.2V
I
PPR
V
PP
Read and Standby
Current
V
PP
Program Current
1
2
±50
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PPW
1,4
15
40
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Program in Progress
10
25
mA
V
PP
= V
PPH3
(12V)
Program in Progress
I
PPE
V
PP
Erase Current
1,4
13
25
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Erase in Progress
8
25
mA
V
PP
= V
PPH3
(12V)
Erase in Progress
I
PPES
V
PP
Erase Suspend
Current
1
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
, V
PPH2
, or V
PPH3
Erase Suspend in Progress
I
PPWS
V
Program Suspend
Current
1
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
, V
PPH2
, or V
PPH3
Program Suspend in Progress
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F008B3B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3T120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TE28F016B3B150 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
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| TE28F016B3BA90 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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