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参数资料
| 型号： | TEMD1020 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon PIN Photodiode |
| 中文描述： | 硅PIN光电二极管 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 465K |
| 代理商： | TEMD1020 |
VISHAY
TEMD1000/1020/1030/1040
Vishay Semiconductors
Document Number 81564
Rev. 9, 21-May-03
www.vishay.com
3
Figure 5. Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
Figure 6. Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
750
850
950
1050
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
S
)
λ
-
r
λ
- Wavelength ( nm )
1150
12786
1.0
0.4
0.2
0
0.2
0.4
S
-
r
0.6
94 8248
0.6
0.9
0.8
0
°
30
°
10
°
20
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40
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50
°
60
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70
°
80
°
0.7
1.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TEMD1030 | Silicon PIN Photodiode |
| TEMD1040 | Silicon PIN Photodiode |
| TEMD5020 | Silicon PIN Photodiode |
| TEMD5120X01 | Silicon PIN Photodiode, RoHS Compliant, Released for Lead (Pb)-free Solder Process, AEC-Q101 Released |
| TEMT1000 | Silicon NPN Phototransistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TEMD1030 | 功能描述:光电二极管 60V 75mW 940nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| TEMD1040 | 功能描述:光电二极管 60V 75mW 940nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| TEMD2100GS08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:STD.FOTO DIODE, SOT23 - Tape and Reel |
| TEMD5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Packaging specifications |
| TEMD5000 | 功能描述:光电二极管 65 Degree 215mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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