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参数资料
| 型号： | THS4275MDEPR |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 音频／视频放大 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 24/36页 |
| 文件大小： | 598K |
| 代理商： | THS4275MDEPR |
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THS4271EP
THS4275EP
SGLS270A DECEMBER 2004 REVISED APRIL 2005
www.ti.com
30
In order to achieve the maximum performance of the
device, PCB layout is critical. Texas Instruments has
developed an EVM for the evaluation of the THS4271 in a
gain of one. The EVM is shown in Figure 102 through
Figure 105. This EVM is designed to minimize peaking in
the unity gain configuration.
Minimizing the inductance in the feedback path is critical
for reducing the peaking of the frequency response in unity
gain. The recommended maximum inductance allowed in
the feedback path is 4 nH. This can be calculated by using
Equation 8.
L(nH)
+ K ln 2
W
) T )
0.223 W ) T
) 0.5
where:
W = Width of trace in inches.
= Length of the trace in inches
.
T = Thickness of the trace in inches.
K = 5.08 for dimensions in inches and K = 2 for dimensions
in cm.
Figure 96. THS4271/THS4275 EVM Circuit
Configuration
R1
R5
J2
Vin+
R6
Vs+
U1
2
3
6
7
41
8
J8
Power Down Ref
Vs+
R8
C8
Vs
R4
R7
C7
J9
Power Down
R2
J4
Vout
Vs
R9
R3
J1
Vin
TP1
+
C1
VS
J7
C6
C5
C2
VS+
J5
+
FB2
C4
C3
FB1
VS
GND
VS+
J6
_
+
Figure 97. THS4271/THS4275 EVM Board
Layout (Top Layer)
Figure 98. THS4271/THS4275 EVM Board
Layout (Second Layer, Ground)
(8)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THS4275MDREPR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4281DG4 | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4281DBVR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO5 |
| THS4281DBVT | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO5 |
| THS4281DGKR | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| THS4281 | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:VERY LOW-POWER, HIGH-SPEED, RAIL-TO-RAIL INPUT AND OUTPUT VOLTAGE-FEEDBACK OPERATIONAL AMPLIFIER |
| THS4281D | 功能描述:高速运算放大器 Very Lo-Pwr R-To-R I/O Voltage Feedback RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4281DBVR | 功能描述:高速运算放大器 Very Lo-Pwr R-To-R I/O Voltage Feedback RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4281DBVRG4 | 功能描述:高速运算放大器 Very Lo-Pwr R-To-R I/O Voltage Feedback RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| THS4281DBVT | 功能描述:高速运算放大器 Very Lo-Pwr R-To-R I/O Voltage Feedback RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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