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参数资料
| 型号： | TIL111 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-DIP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | TIL111QT TIL111QT-ND |
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
Parameter
Device
Value
Units
Total Device
T STG
T OPR
T SOL
P D
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature
Total Device Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
All
All
All
All
-40 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
250
2.94
°C
°C
°C
mW
mW/°C
Emitter
I F
V R
DC/Average Forward Input Current
Reverse Input Voltage
All
TIL111M
60
3
mA
V
MOC8100M, TIL117M
6
I F (pk)
P D
Forward Current – Peak (300 μs, 2% Duty Cycle)
LED Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
All
All
3
120
1.41
A
mW
mW/°C
Detector
V CEO
V CBO
V ECO
V EBO
P D
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Collector Voltage
Emitter-Base Voltage
Detector Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate Above 25°C
All
All
TIL111M, TIL117M
All
All
30
70
7
7
150
1.76
V
V
V
mW
mW/°C
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
TIL111M, TIL117M, MOC8100M Rev. 1.0.3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M22-6341042 | CONN RECEPT 2MM SMD AU 20POS |
| HRP-09-S | CONN RECEPT HOUSING 9POS HR |
| M50-3200845 | CONN RCPT 1.27MM T/H R/A 16POS |
| M50-3001245 | CONN RCPT 1.27MM T/H AU 24POS |
| 71991-308LF | CONN RCPT 16POS .100 DL STR PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIL111_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL111300 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor DIP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL111300W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL1113S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMD Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL1113SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMT Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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