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参数资料
| 型号： | TIL111 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-DIP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 2mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | TIL111QT TIL111QT-ND |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise specified.
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min. Typ.* Max. Unit
Emitter
V F
Input Forward
Voltage
I F = 16 mA
I F = 10 mA for
T A = 25°C
T A = 0°C to 70°C
TIL111M
MOC8100M,
1.2
1.2
1.4
1.4
V
MOC8100M,
I F = 16 mA for
TIL117M
T A = -55°C
T A = +100°C
TIL117M
1.32
1.10
I R
Reverse Leakage
Current
V R = 3.0 V
V R = 6.0 V
TIL111M, TIL117M
MOC8100M
0.001
0.001
10
10
μA
μA
Detector
BV CEO
Collector-Emitter
I C = 1.0 mA, I F = 0
All
30
100
V
Breakdown Voltage
BV CBO
Collector-Base
I C = 10 μA, I F = 0
All
70
120
V
Breakdown Voltage
BV EBO
Emitter-Base
I E = 10 μA, I F = 0
All
7
10
V
Breakdown Voltage
BV ECO
Emitter-Collector
I F = 100 μA, I F = 0
TIL111M, TIL117M
7
10
V
Breakdown Voltage
I CEO
Collector-Emitter
Dark Current
V CE = 10 V, I F = 0
V CE = 5 V, T A = 25°C
V CE = 30 V, I F = 0, T A = 70°C
TIL111M, TIL117M
MOC8100M
TIL117M,
1
0.5
0.2
50
25
50
nA
nA
μA
MOC8100M
I CBO
Collector-Base Dark V CB = 10 V
TIL111M, TIL117M
20
nA
I CBO
C CE
Current
Capacitance
V CB = 5 V
V CE = 0 V, f = 1 MHz
MOC8100M
All
8
10
nA
pF
*All Typical values at T A = 25°C
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
TIL111M, TIL117M, MOC8100M Rev. 1.0.3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 71991-308LF | CONN RCPT 16POS .100 DL STR PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIL111_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL111300 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor DIP RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL111300W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL1113S | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMD Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TIL1113SD | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler SMT Transistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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