型号: | TIP106 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
中文描述: | 互补硅功率达林顿晶体管(互补硅功率达林顿晶体管) |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 44K |
代理商: | TIP106 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
TIP131 | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
TIP137 | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互补硅功率达林顿晶体管) |
TIP33C | Complemetary Silicon Power Transistors(互补硅功率晶体管) |
TIP34C | Complemetary Silicon Power Transistors(互补硅功率晶体管) |
TIP606 | 16 Interrupt Generating Digital Inputs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
TIP106-BP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:PNP PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS |
TIP106G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
TIP106-S | 功能描述:达林顿晶体管 PNP DARLINGTON 80V 8A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
TIP106TU | 功能描述:达林顿晶体管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
TIP107 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |