参数资料
型号: TIP117F
厂商: KEC Holdings
英文描述: EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
中文描述: 外延平面PNP晶体管(单片施工技术基础之上的发射极分流器工业用途。)
文件页数: 2/2页
文件大小: 42K
代理商: TIP117F
2002. 6. 25
2/2
TIP117F
Revision No : 0
h
- I
C
COLLECTOR CURRENT I
(A)
-0.01
100K
FE
10
DC
CURRENT
GAIN
h
FE
C
-0.1
-1
-10
30
100
300
10K
30K
V =-4V
CE
1
CB
COLLECTOR-BASE VOLTAGE V
(V)
C
- V
CAPACITANCE
C
(pF)
CB
-0.01
ob
-0.1
-1
-10
-100
3
5
10
30
50
100
300
500
1k
f=0.1MHz
I
- V
CCE
CE
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
(V)
0
-1
C
-1
COLLECTOR
CURRENT
I
(A)
-2
-3
-4
-5
I =-100A
B
-2
-3
-4
-5
-200A
-300A
-400
A
-500
A
-900A
-1000
A
-800A
-700A
-600A
10
0.01
0.1
0.3
1
3
30
100
0.1
1
10
I /I =500
C
SATURATION
VOLTAGE
BE(sat)
COLLECTOR CURRENT I
(A)
C
CE(sat)
BE(sat)
V
, V
- IC
V
,V
(V)
CE(sat)
BE(sat)
V
CE(sat)
V
B
D
POWER
DISSIPATION
P
(W)
0
CASE TEMPERATURE Ta ( C)
D
P - Ta
50
100
150
200
5
10
15
20
25
30
COLLECTOR
CURRENT
I
(A)
C
0.1
5
1
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
(V)
CE
SAFE OPERATING AREA
3
10
30
50
100
0.3
0.5
1
3
5
10
SINGLE NONREPETITIVE
PULSE Tc=25 C
CURVES MUST BE DERATED
LINEARLY WITH INCREASE IN
TEMPERATURE
I MAX(PULSED)
C
DC OPERATION
1ms
5ms
Tc=25 C
相关PDF资料
PDF描述
TIP41CF EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
TKD12ZED-T 50 WATT, 3/4 BRICK
TL16PNP100APT SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP48
TL431BU 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, PDSO3
TLE4252D 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PSSO4
相关代理商/技术参数
参数描述
TIP117F_07 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
TIP117G 功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
TIP117HAR90 制造商:HAR 功能描述:TIP117
TIP117-S 制造商:Bourns / JW Miller 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANS DARLINGTON PNP 100V 4A 3PIN TO-220 - Rail/Tube
TIP117TU 功能描述:达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel