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参数资料
| 型号： | TIP30A |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型硅塑料功率晶体管) |
| 中文描述： | 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | TIP30A |
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
http://onsemi.com
3
T
=
h
fe
f
test
OFF CHARACTERISTICS
TIP29, TIP30
TIP29B, TIP30B
TIP29C, TIP30C
40
80
100
Collector Cutoff Current
(V
= 60 Vdc, I
= 0)
TIP29B, TIP29C, TIP30B, TIP30C
I
CEO
0.3
mAdc
Collector Cutoff Current
CE
EB
(V
CE
= 80 Vdc, V
EB
= 0)
CE
EB
TIP29B, TIP30B
I
200
200
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
1.0
mAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
C
CE
FE
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f
test
= 1.0 MHz)
SmallSignal Current Gain (I
C
= 0.2 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
h
fe
20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP29A | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型硅塑料功率晶体管) |
| TIP29B | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型硅塑料功率晶体管) |
| TIP30B | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型硅塑料功率晶体管) |
| TIP30C | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型硅塑料功率晶体管) |
| TIP32B | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型，塑料功率晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TIP30A | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220 |
| TIP30A-BP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:1.0 Amp Complementary Silicon Power Transistors |
| TIP30AG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 60V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP30A-S | 功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 1A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP30ATU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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