型号: | TIP35C |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | Complementary Silicon High(互补型硅高功率晶体管) |
中文描述: | 25 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
封装: | CASE 340D-02, 3 PIN |
文件页数: | 2/6页 |
文件大小: | 80K |
代理商: | TIP35C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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TIP36A | Complementary Silicon High(互补型硅高功率晶体管) |
TIP36C | PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
TIP3055 | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
TIP41B | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型,塑料功率晶体管) |
TIP41C | Complementary Silicon Plastic Power Transistors(互补型,塑料功率晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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TIP35C | 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-93 |
TIP35C_01 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
TIP35C_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power transistors |
TIP35CA | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
TIP35CG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 100V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |