参数资料
| 型号： | TISP5110H3BJR |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SURGE SUPP -80V UNIDIR DO-214AA |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 击穿： | 110V |
| 电压 - 断路： | 80V |
| 电压 - 导通状态： | 3V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 300A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 240pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TISP5xxxH3BJ Overvoltage Protection Series
Rating And Thermal Information
NON-REPETITIVE PEAK ON-STATE CURRENT
vs
30
CURRENT DURATION
V GEN = 600 Vrms, 50/60 Hz
TI5HAC
20
15
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1.5
R GEN = 1.4*V GEN /I TSM(t)
EIA/JESD51-2 ENVIRONMENT
EIA/JESD51-3 PCB
T A = 25 ° C
0·1
1
10
100
1000
t - Current Duration - s
Figure 8.
V DRM DERATING FACTOR
vs
IMPULSE RATING
vs
1.00
MINIMUM AMBIENT TEMPERATURE
TI5XAD
700
AMBIENT TEMPERATURE
TC5XAA
600
BELLCORE 2/10
0.99
500
0.98
400
IEC 1.2/50, 8/20
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
300
250
200
150
120
100
90
80
FCC 10/160
ITU-T 10/700
FCC 10/560
BELLCORE 10/1000
-40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5
0
5
10 15 20 25
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80
T AMIN - Minimum Ambient Temperature - ° C
Figure 9.
JANUARY 1998 - REVISED JANUARY 2007
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
T A - Ambient Temperature - ° C
Figure 10.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 292175-7 | CONN HEADER 7POS SMD TIN NAT |
| TISP5080H3BJR | SURGE SUPP -65V UNIDIR DO-214AA |
| RC0805JR-0762KL | RES 62K OHM 1/8W 5% 0805 SMD |
| 280610-1 | CONN HEADER 4POS VERT .156 TIN |
| LM324NG | IC OPAMP QUAD LOW POWER 14DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP5110H3BJR-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP5115H3BJ | 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR TVS UNIDIRECTIONAL 115V |
| TISP5115H3BJR | 功能描述:硅对称二端开关元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP5115H3BJR-S | 功能描述:硅对称二端开关元件 Forward Conducting Unidirectional RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TISP5150H3BJ | 制造商:BOURNS 制造商全称:Bourns Electronic Solutions 功能描述:FORWARD-CONDUCTING UNIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS |
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