参数资料
| 型号： | TISP61089ASDR-S |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PROTECTOR OVER VOLTAGE |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 64V |
| 电压 - 断路： | 120V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 30A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 2 |
| 电容： | 100pF |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
TISP61089 Gated Protector Series
Thermal Information
PEAK NON-RECURRING AC
vs
20
15
10
8
7
6
5
4
3
2
1.5
1
0.8
0.7
0.6
0.5
CURRENT DURATION TI61AFA
RING AND T IP TERM INALS:
Equal I TSM values applied
simultaneously
GROUND TERM INAL:
Current twice I TSM value
EIA /JESD51
Environment and
PCB, T A = 25 ° C
V GG = -80 V
V GG = -60 V
V GG = -100 V
0.01
0.1
1 10 100
1000
t — Current Duration — s
Figure 2. Non-repetitive Peak On-State Current against Duration
(Gate Voltage Ranges are -20 V to -75 V for the '61089 and -20 V to -100 V for the '61089A)
NOVEMBER 1995 - REVISED JULY 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LM358MX | IC OPAMP DUAL 0-70DEG C 8-SOIC |
| 9-103325-0-14 | CONN HEADR BRKWAY .100 14POS R/A |
| GEC20SBSN-M89 | CONN HEADER 20POS .100 RT/A SMD |
| LM358ADR2G | IC OPAMP DUAL MICROPOWER 8SOIC |
| LM258AMX | IC OPAMP DUAL HIGH GAIN 8-SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP61089ASDS | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| TISP61089ASD-S | 功能描述:SCR Dual P Gate Forward Conducting RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP61089B | 制造商:Bourns Inc 功能描述:THYRISTOR TVS DUAL |
| TISP61089BD | 功能描述:SCR Dual P Gate Forward Conducting RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP61089BDR | 功能描述:SCR Dual P Gate Forward Conducting RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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