参数资料
| 型号： | TISP6NTP2ADR-S |
| 厂商： | Bourns Inc. |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SURGE PROT THYRIST 90V DUAL SLIC |
| 产品培训模块： | ESD Protection Products |
| 产品变化通告： | Wire Color Change May 2008 |
| 产品目录绘图： | TISP6NTP2(A,C)DR Schematic |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 工作： | -50V |
| 电压 - 箝位： | -70V |
| 技术： | 混合技术 |
| 电路数： | 4 |
| 应用： | SLIC |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TISP6NTP2ADR-SDKR |
TISP6NTP2A Programmable Protector
Parameter Measurement Information
PR IN C IPA L TER MIN A L V-I C H AR A C TER ISTIC
G AT E TR AN SFER
C H AR A C TER ISTIC
I FSP (= |I TSP |)
+i
Q uadran t I
Forw ard
+i K
C onduc tion
C haracteristic
I FSM (= |I TSM |)
V G K (B O )
I F
V F
I F
-v
V GG
V D
I D
+v
-i G
I G A F
I G T
+i G
I (B O )
I S
I H
V (BO)
V S
V T
I T
I TSM
I G A T
I G
I T
Q uadran t III
Sw itchin g
C haracteristic
-i
I TSP
P M6X AIA
I K
-i K
Figure 1. Principal Terminal And Gate Transfer Characteristics
JUNE 1998 - REVISED JULY 2008
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMD21-0441D1 | CONN RACK/PANEL 44POS 5A |
| MMD23-0341N1 | CONN RACK/PANEL 34POS 5A |
| TISP6NTP2CDR-S | SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC |
| MME21-0261R1 | CONN RACK/PANEL 26POS 5A |
| MMB23-0441C1 | CONN RACK/PANEL 44POS 5A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TISP6NTP2AD-S | 功能描述:SCR Quad Buffered PGate Forward Conducting RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP6NTP2B | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| TISP6NTP2BD | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP6NTP2BDR | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TISP6NTP2BDR-S | 功能描述:SCR SURGE SUP 8-SOP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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