参数资料
| 型号： | TLV2262AIDRG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 19/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 710KHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | LinCMOS™ |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.55 V/µs |
| 增益带宽积： | 710kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 400µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 8 V，±1.35 V ~ 4 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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TLV226x, TLV226xA
Advanced LinCMOS RAILTORAIL
OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS186C FEBRUARY 1997 REVISED AUGUST 2006
26
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 14
2
1
0
Input
V
oltage
V
3
4
INPUT VOLTAGE
vs
FREE-AIR TEMPERATURE
5
1
55 35 15
5
25
45
65
85
| VIO | ≤ 5 mV
VDD = 5 V
V
I
TA Free-Air Temperature °C
105
125
Figure 15
High-Level
Output
V
o
ltage
V
HIGH-LEVEL OUTPUT VOLTAGE
vs
HIGH-LEVEL OUTPUT CURRENT
V
OH
| IOH | High-Level Output Current A
2
1
0.5
0
500
1000
3
3.5
4
1500
2000
2.5
1.5
TA = 55°C
VDD = 3 V
TA = 85°C
TA = 40°C
TA = 125°C
TA = 25°C
Figure 16
0.6
0.4
0.2
0
01
2
3
Low-Level
Output
V
o
ltage
V
0.8
1
LOW-LEVEL OUTPUT VOLTAGE
vs
LOW-LEVEL OUTPUT CURRENT
1.2
45
V
OL
IOL Low-Level Output Current mA
VDD = 3 V
TA = 25°C
VIC = 0
VIC = 0.75 V
VIC = 1.5 V
Figure 17
Low-Level
Output
V
o
ltage
V
LOW-LEVEL OUTPUT VOLTAGE
vs
LOW-LEVEL OUTPUT CURRENT
V
OL
0.4
0.2
1.2
0
01
2
3
0.8
0.6
1
1.4
45
TA = 85°C
TA = 40°C
TA = 25°C
VDD = 3 V
VIC = 1.5 V
TA = 55°C
TA = 125°C
IOL Low-Level Output Current mA
Data at high and low temperatures are applicable only within the rated operating free-air temperature ranges of the various devices.
For all curves where VDD = 5 V, all loads are referenced to 2.5 V. For all curves where VDD = 3 V, all loads are referenced to 1.5 V.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TLV2262AIDR | IC OPAMP GP R-R 710KHZ 8SOIC |
| 75844-129-14 | HDR STR DR .100 GP |
| 69155-440R | QKE II HDR |
| F20B07505ACFA06E | THERMOSTAT 75 DEG C NO W/LEADS |
| 75844-156-72 | HDR STR DR.100 GP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLV2262AIP | 功能描述:运算放大器 - 运放 LiNCMOS R/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPW | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPWG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPWLE | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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