参数资料
| 型号： | TLV2262AIDRG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 38/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 710KHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | LinCMOS™ |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.55 V/µs |
| 增益带宽积： | 710kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 400µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 8 V，±1.35 V ~ 4 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
25-Sep-2013
Addendum-Page 2
Orderable Device
Status
(1)
Package Type Package
Drawing
Pins Package
Qty
Eco Plan
(2)
Lead/Ball Finish
MSL Peak Temp
(3)
Op Temp (°C)
Device Marking
(4/5)
Samples
TLV2262AID
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
V2262A
TLV2262AIDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
V2262A
TLV2262AIDR
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
V2262A
TLV2262AIDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
V2262A
TLV2262AIP
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
-40 to 125
TLV2262AI
TLV2262AIPE4
ACTIVE
PDIP
P
8
50
Pb-Free
(RoHS)
CU NIPDAU
N / A for Pkg Type
-40 to 125
TLV2262AI
TLV2262AIPW
ACTIVE
TSSOP
PW
8
150
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY262A
TLV2262AIPWG4
ACTIVE
TSSOP
PW
8
150
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY262A
TLV2262AIPWLE
OBSOLETE
TSSOP
PW
8
TBD
Call TI
-40 to 125
TLV2262AIPWR
ACTIVE
TSSOP
PW
8
2000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY262A
TLV2262AIPWRG4
ACTIVE
TSSOP
PW
8
2000
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
TY262A
TLV2262AMFKB
ACTIVE
LCCC
FK
20
1
TBD
POST-PLATE
N / A for Pkg Type
-55 to 125
5962-
9550403Q2A
TLV2262
AMFKB
TLV2262AMJGB
ACTIVE
CDIP
JG
8
1
TBD
A42
N / A for Pkg Type
-55 to 125
9550403QPA
TLV2262AM
TLV2262AMUB
ACTIVE
CFP
U
10
1
TBD
A42
N / A for Pkg Type
-55 to 125
9550403QHA
TLV2262AM
TLV2262AQD
OBSOLETE
SOIC
D
8
TBD
Call TI
-40 to 125
V2262A
TLV2262AQDG4
ACTIVE
SOIC
D
8
75
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
V2262A
TLV2262AQDR
OBSOLETE
SOIC
D
8
TBD
Call TI
-40 to 125
V2262A
TLV2262AQDRG4
ACTIVE
SOIC
D
8
2500
Green (RoHS
& no Sb/Br)
CU NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
V2262A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TLV2262AIDR | IC OPAMP GP R-R 710KHZ 8SOIC |
| 75844-129-14 | HDR STR DR .100 GP |
| 69155-440R | QKE II HDR |
| F20B07505ACFA06E | THERMOSTAT 75 DEG C NO W/LEADS |
| 75844-156-72 | HDR STR DR.100 GP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TLV2262AIP | 功能描述:运算放大器 - 运放 LiNCMOS R/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPW | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPWG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Advanced LinCMOS Rail-To-Rail Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| TLV2262AIPWLE | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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