参数资料
型号: TLV2422AQDRG4
厂商: Texas Instruments
文件页数: 34/39页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP GP R-R 52KHZ DUAL 8SOIC
标准包装: 2,500
系列: LinCMOS™
放大器类型: 通用
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 0.02 V/µs
增益带宽积: 52kHz
电流 - 输入偏压: 1pA
电压 - 输入偏移: 300µV
电流 - 电源: 100µA
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.7 V ~ 10 V,±1.35 V ~ 5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
TLV2422, TLV2422A
Advanced LinCMOS
RAIL-TO-RAIL OUTPUT
WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS199C – SEPTEMBER1997 – REVISED APRIL 2001
4
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
Supply voltage, VDD (see Note 1)
12 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Differential input voltage, VID (see Note 2)
±VDD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Input voltage, VI (any input, see Note 1): C and I suffix
– 0.3 V to VDD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Input current, II (each input)
±5 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Output current, IO
±50 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total current into VDD+
±50 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total current out of VDD–
±50 mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Duration of short-circuit current at (or below) 25
°C (see Note 3)
unlimited
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous total power dissipation
See Dissipation Rating Table
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating free-air temperature range, TA: C suffix
0
°C to 70°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I suffix
– 40
°C to 85°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Q suffix
– 40
°C to 125°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
M suffix
– 55
°C to 125°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage temperature range, Tstg
– 65
°C to 150°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds
260
°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
NOTES:
1. All voltage values, except differential voltages, are with respect to the midpoint between VDD+ and VDD – .
2. Differential voltages are at IN+ with respect to IN –. Excessive current flows if input is brought below VDD – – 0.3 V.
3. The output may be shorted to either supply. Temperature and/or supply voltages must be limited to ensure that the maximum
dissipation rating is not exceeded.
DISSIPATION RATING TABLE
PACKAGE
TA ≤ 25°C
DERATING FACTOR
TA = 70°C
TA = 85°C
TA = 125°C
PACKAGE
A
POWER RATING
ABOVE TA = 25°C
A
POWER RATING
A
POWER RATING
A
POWER RATING
D
725 mW
5.8 mW/
°C
464 mW
377 mW
145 mW
FK
JG
1375 mW
1050 mW
11.0 mW/
°C
8 4 mW/
°C
880 mW
672 mW
715 mW
546 mW
275 mW
210 mW
JG
PW
1050 mW
525 mW
8.4 mW/
°C
4.2 mW/
°C
672 mW
336 mW
546 mW
273 mW
210 mW
105 mW
PW
U
525 mW
675 mW
4.2 mW/ C
5.4 mW/
°C
336 mW
432 mW
273 mW
350 mW
105 mW
135 mW
recommended operating conditions
C SUFFIX
I SUFFIX
Q SUFFIX
M SUFFIX
UNIT
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
Supply voltage, VDD
±
2.7
10
2.7
10
2.7
10
2.7
10
V
Input voltage range, VI
VDD – VDD + – 0.8 VDD – VDD + – 0.8 VDD – VDD + – 0.8 VDD – VDD + – 0.8
V
Common-mode input voltage, VIC
VDD – VDD + – 0.8 VDD – VDD + – 0.8 VDD – VDD + – 0.8 VDD – VDD + – 0.8
V
Operating free-air temperature, TA
0
70
– 40
85
– 40
125
– 55
125
°C
相关PDF资料
PDF描述
TLV2422AQDR IC OPAMP GP R-R 52KHZ DUAL 8SOIC
961122-5900-AR-PR CONN HEADER R/A 22POS GOLD SMD
TLC2274QDRG4 IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 14SOIC
F20B09505ACFA06E THERMOSTAT 95 DEG C NO W/LEADS
TST-110-01-L-D CONN HEADER 20POS .100" T/H GOLD
相关代理商/技术参数
参数描述
TLV2422AQDRG4Q1 功能描述:运算放大器 - 运放 Adv LinCMOS Rail to Rail MicroPwr Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV2422AQDRQ1 功能描述:运算放大器 - 运放 Adv LinCMOS Rail to Rail MicroPwr Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV2422CD 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Micropower RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV2422CDG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Micropower RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
TLV2422CDR 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Wide-In-Vltg uPwr RtoR Sngl-Sply RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel