型号: | TLV341IDBVR |
厂商: | Texas Instruments |
文件页数: | 14/36页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ SOT23-6 |
标准包装: | 1 |
放大器类型: | 通用 |
电路数: | 1 |
输出类型: | 满摆幅 |
转换速率: | 1 V/µs |
增益带宽积: | 2.3MHz |
电流 - 输入偏压: | 1pA |
电压 - 输入偏移: | 300µV |
电流 - 电源: | 75µA |
电流 - 输出 / 通道: | 115mA |
电压 - 电源,单路/双路(±): | 1.5 V ~ 5.5 V |
工作温度: | -40°C ~ 125°C |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
供应商设备封装: | SOT-23-6 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 871 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | 296-17682-6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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RMCP2010JT36K0 | RES POWER 36K OHM 1W 5% 2010 SMD |
TLV341IDCKR | IC OPAMP GP R-R 2.3MHZ SC70-6 |
SR1206JR-0710RL | RES ANTI-SURGE 10 OHM 5% 1206 |
39-30-6127 | CONN HEADER 12POS 4.2MM VERT TIN |
SR1206JR-0768RL | RES ANTI-SURGE 68 OHM 5% 1206 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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TLV341IDBVRE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
TLV341IDBVRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo Vltg Rail to Rail Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
TLV341IDBVT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
TLV341IDBVTE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Low-Voltage R-To-R Output CMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
TLV341IDBVTG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Lo Vltg Rail to Rail Output CMOS Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |