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参数资料
| 型号： | TMMDB3TG |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | DIAC |
| 中文描述： | 移民部 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | TMMDB3TG |
TMMDB3
3/4
10mA
IBO
I
R
- V
+ V
+ IF
- IF
0,5 VBO
VBO
V
VF
Diagram 1:
Voltage - current characteristic curve.
D.U.T
Vo
C=0.1μF
220V
50 Hz
500 k
10 k
R=20
I
P
Rs=0
T410
Diagram 2:
Test circuit.
90 %
l
p
10 %
t
r
Diagram 3:
Rise time measurement.
25
50
75
100
125
1.08
1.06
1.04
1.02
1.00
VBO [Tj]
VBO [Tj = 25°C]
Tj (°C)
Fig. 1:
Relative variation of VBO versus junction
temperature (typical values)
1
10
100
0.1
1.0
10.0
20.0
tp(μs)
ITRM(A)
F=120Hz
Tj initial=25°C
Fig. 2:
Repetitive peak pulse current versus pulse
duration (maximum values).
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PDF描述 |
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