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参数资料
| 型号： | TMS29F800B-90BDCDL |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
| 中文描述： | 1048576 8位/ 524288由16位闪存 |
| 文件页数： | 48/51页 |
| 文件大小： | 685K |
| 代理商： | TMS29F800B-90BDCDL |
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TMS29F800T, TMS29F800B
1048576 BY 8-BIT/524288 BY 16-BIT
FLASH MEMORIES
SMJS835B – MAY 1997 – REVISED OCTOBER 1997
48
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
CE
WE
RY/BY
The Rising Edge of the Last WE Signal
Entire Programming or Erase Operations
tBUSY
Figure 28. RY/BY Timing Diagram During Program/Erase Operations
P
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS29F800B-100BDCDE | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
| TMS29F800B-100BDCDL | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
| TMS29F800B-100BDCDQ | PT 8C 8#20 PIN RECP |
| TMS29F800B-100CDBJE | RECEPT |
| TMS29F800B-100CDBJL | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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