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参数资料
| 型号： | TMS29F800T-100CDCDQ |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 1048576 BY 8-BIT/ 524288 BY 16-BIT FLASH MEMORIES |
| 中文描述： | 1048576 8位/ 524288由16位闪存 |
| 文件页数： | 26/51页 |
| 文件大小： | 685K |
| 代理商： | TMS29F800T-100CDCDQ |
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T
1
F
S
T
2
P
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and ambient temperature, controlled by WE
PARAMETER
ALT
’29F800-80
MIN
’29F800-90
MIN
’29F800-100
MIN
’29F800-120
MIN
UNIT
SYMBOL
TYP
MAX
TYP
MAX
TYP
MAX
TYP
MAX
tc(W)
tsu(A)
th(A)
tsu(D)
th(D)
tsu(E)
th(E)
tw(WL)
tw(WH)
trec(R)
Cycle time, write
tAVAV
tAVWL
tWLAX
tDVWH
tWHDX
tELWL
tWHEH
tWLWH1
tWHWL
tGHWL
tWHGL1
tWHGL2
tVCEL
80
90
100
120
ns
Setup time, address
0
0
0
0
ns
Hold time, address
45
50
50
65
ns
Setup time, data
45
50
50
65
ns
Hold time, data valid after WE high
0
0
0
0
ns
Setup time, CE
0
0
0
0
ns
Hold time, CE
0
0
0
0
ns
Pulse duration, WE low
45
50
50
65
ns
Pulse duration, WE high
20
30
30
35
ns
Recovery time, read before write
0
0
0
0
ns
Hold time, OE read
0
0
0
0
ns
Hold time, OE toggle, data
10
10
10
10
ns
μ
s
Setup time, VCC
Transition time, VID
(see Note 8 and Note 9)
50
50
50
50
tHVT
4
4
4
4
μ
s
Pulse duration, WE low (see Note 8)
tWLWH2
tWLWH3
100
100
100
100
μ
s
ms
Pulse duration, WE low (see Note 9)
10
10
10
10
Setup time, CE VID to WE
(see Note 9)
tEHVWL
4
4
4
4
μ
s
Setup time, OE VID to WE
(see Notes 8 and 9)
tGHVWL
4
4
4
4
μ
s
t(W)PR
tc(W)PR
Cycle time, programming
operation
Byte
tWHWH1
8
8
8
8
μ
s
μ
s
ns
Word
14
14
14
14
Write recovery time from RY/BY
tRB
tRL
tRH
tRPD
tRPD
tBUSY
0
0
0
0
RESET low time
500
500
500
500
ns
RESET high time before read
50
50
50
50
ns
μ
s
μ
s
ns
RESET to power-down time
20
20
20
20
RESET to CE/WE low
5
5
5
5
Program/erase valid to RY/BY delay
90
90
90
90
CE to BYTE switching low or high
tELFL/tELFH
5
5
5
5
ns
NOTES:
8. Sector-protect timing
9. Sector-unprotect timing
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