- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11226 > TMS320F28069PFPS (Texas Instruments)IC MCU 32BIT 256KB FLASH 80HTQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TMS320F28069PFPS |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 63/174页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 32BIT 256KB FLASH 80HTQFP |
| 产品培训模块： | ControlSUITE Piccolo F2806x TPS75005 Single IC Power for C2000 MCU |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMS320F2806x, Piccolo™, C2000™ |
| 核心处理器： | C28x |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 连通性： | CAN，I²C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 40 |
| 程序存储器容量： | 256KB（128K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 50K x 16 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.71 V ~ 1.995 V |
| 数据转换器： | A/D 12x12b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 80-TQFP 裸露焊盘 |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页当前第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页
SPRS698D – NOVEMBER 2010 – REVISED DECEMBER 2012
5.25 Flash Timing
Table 5-78. Flash/OTP Endurance for T Temperature Material(1)
ERASE/PROGRAM
MIN
TYP
MAX
UNIT
TEMPERATURE
Nf
Flash endurance for the array (write/erase cycles)
0°C to 105°C (ambient)
20000
50000
cycles
NOTP
OTP endurance for the array (write cycles)
0°C to 30°C (ambient)
1
write
(1)
Write/erase operations outside of the temperature ranges indicated are not specified and may affect the endurance numbers.
Table 5-79. Flash/OTP Endurance for S Temperature Material(1)
ERASE/PROGRAM
MIN
TYP
MAX
UNIT
TEMPERATURE
Nf
Flash endurance for the array (write/erase cycles)
0°C to 125°C (ambient)
20000
50000
cycles
NOTP
OTP endurance for the array (write cycles)
0°C to 30°C (ambient)
1
write
(1)
Write/erase operations outside of the temperature ranges indicated are not specified and may affect the endurance numbers.
Table 5-80. Flash/OTP Endurance for Q Temperature Material(1)(2)
ERASE/PROGRAM
MIN
TYP
MAX
UNIT
TEMPERATURE
Nf
Flash endurance for the array (write/erase cycles)
–40°C to 125°C (ambient)
20000
50000
cycles
NOTP
OTP endurance for the array (write cycles)
–40°C to 30°C (ambient)
1
write
(1)
Write/erase operations outside of the temperature ranges indicated are not specified and may affect the endurance numbers.
(2)
The "Q" temperature option is not available on the 2806xU devices.
Table 5-81. Flash Parameters at 90-MHz SYSCLKOUT
TEST
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
CONDITIONS
Program Time
16-Bit Word
50
μs
16K Sector
500
ms
8K Sector
250
ms
4K Sector
125
ms
Erase Time(1)
16K Sector
2
s
8K Sector
2
s
4K Sector
2
s
IDDP
(2)
VDD current consumption during Erase/Program cycle
VREG disabled
80
mA
IDDIOP
(2)
VDDIO current consumption during Erase/Program cycle
60
IDDIOP
(2)
VDDIO current consumption during Erase/Program cycle
VREG enabled
120
mA
(1)
The on-chip flash memory is in an erased state when the device is shipped from TI. As such, erasing the flash memory is not required
prior to programming, when programming the device for the first time. However, the erase operation is needed on all subsequent
programming operations.
(2)
Typical parameters as seen at room temperature including function call overhead, with all peripherals off.
Table 5-82. Flash/OTP Access Timing(1)
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
ta(fp)
Paged Flash access time
36
ns
ta(fr)
Random Flash access time
36
ns
ta(OTP)
OTP access time
60
ns
(1)
Access time numbers shown in this table are prior to device characterization. Final numbers will be published in the TMS datasheet.
Copyright 2010–2012, Texas Instruments Incorporated
Peripheral and Electrical Specifications
155
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2220PC684MAT1A | CAP CER 0.68UF 250V 20% X7R 2220 |
| 2220PC105MAT9A | CAP CER 1UF 250V X7R 20% 2220 |
| LTC1393CS | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16SOIC |
| 2220PC105MAT1A | CAP CER 1UF 250V X7R 20% 2220 |
| LT6555CUF#TRPBF | IC VIDEO MULTIPLEXER 2X1 24QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TMS320F28069PNA | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| TMS320F28069PNT | 功能描述:32位微控制器 - MCU PICCOLO MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT |
| TMS320F28069PZA | 功能描述:32位微控制器 - MCU Piccolo MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT |
| TMS320F28069PZPQ | 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLSH 100HTQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:TMS320F2806x, Piccolo™, C2000™ 产品培训模块:Asynchronous Stimulus 标准包装:90 系列:dsPIC™ 30F 核心处理器:dsPIC 芯体尺寸:16-位 速度:20 MIPS 连通性:CAN，I²C，SPI，UART/USART 外围设备:AC'97，欠压检测/复位，I²S，LVD，POR，PWM，WDT 输入/输出数:52 程序存储器容量:144KB（48K x 24） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 大小:4K x 8 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):2.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 16x12b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:64-TQFP 包装:托盘 配用:XLT64PT4-ND - SOCKET TRAN ICE 64MQFP/TQFPAC164313-ND - MODULE SKT FOR PM3 64PF 其它名称:DSPIC30F601220EPF |
| TMS320F28069PZPS | 功能描述:32位微控制器 - MCU PICCOLO MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。