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参数资料
| 型号： | TPS51020DBTG4 |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 17/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DUAL DC/DC SYNC CTRLR 30TSSOP |
| 标准包装： | 60 |
| 应用： | 控制器，DDR，DDR2 |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 28 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 0.9 V ~ 24 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 30-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 30-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | 296-18958-ND - EVAL MODULE FOR TPS51020-001 296-17268-ND - EVALUATION MODULE FOR TPS51100 296-12357-ND - EVAL MOD FOR TPS2330-185 |
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TPS51020
SLUS564C ? JULY 2003 ? REVISED OCTOBER 2008
APPLICATION INFORMATION
D The output voltage sensing trace and the feedback components should be as short as possible and be
isolated from the power components and traces.
D The low pass filter for VIN should be placed close to the TPS51020 and be referenced to signal GND.
D The bootstrap capacitor C BST (connected from VBST to LL) should be placed close to the TPS51020.
D VREG5 requires at least 4.7- μ F bypass capacitor which should be placed close to the TPS51020 and be
referenced to signal GND.
D The discharge (VO1_VDDQ, VO2) should better have a dedicated trace to the output capacitor. In case of
limiting the discharge current, series resistors should be added.
D Ideally, all of the area directly under the TPS51020 chip should also be signal GND.
TPS51020
1 INV1
VBST1 30
Cin1
H_FET1
2 COMP1
OUT1_U 29
C BST1
L01
Rtrip1 Ctrip1
CH1 Output Voltage (+)
+
3 SSTRT1
LL1 28
L_FET1
4 SKIP
OUT1_D 27
Co1
CH1 Output Voltage (GND)
5 VO1_VDDQ
6 DDR
OUTGND1 26
TRIP1 25
Rvin
?
Input Voltage (+)
Signal GND
7 GND
8 REF_X
9 ENBL1
VIN 24
TRIP2 23
VREG5 22
Cvinbp
Cin
Power GND
+
Input Voltage (GND)
?
Cvreg5
10 ENBL2
REG5_IN 21
CH2 Output Voltage (GND)
11 VO2
12 PGOOD
OUTGND2 20
OUT2_D 19
L_FET2
?
13 SSTRT2
LL2 18
Co2
CH2 Output Voltage (+)
+
14 COMP2
OUT2_U 17
L02
15 INV2
VBST2 16
C BST2
Cin2
H_FET2
Rtrips Ctrip2
Figure 4. PCB Trace Guideline
www.ti.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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