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参数资料
| 型号： | TS1220 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | SENSITIVE SCR |
| 中文描述： | 敏感可控硅 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | TS1220 |
TS1220-600B
May 1998 - Ed: A3
SENSITIVE SCR
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DRM
V
RRM
Repetitive peak off-state voltage
T
j
= 125°C R
GK
= 220
600
V
I
T(RMS)
RMS on-state current
(180
°
conduction angle)
Tc= 105
°
C
12
A
I
T(AV)
Average on-state current
(180
°
conduction angle)
Tc= 105
°
C
8
A
I
TSM
Non repetitive surge peak on-state current
(T
j
initial = 25°C )
tp = 10 ms
110
A
tp = 8.3 ms
115
I
2
t
I
2
t Value for fusing
tp = 10 ms
40
A
2
s
dI/dt
Critical rate of rise of on-state current
I
G
= 10 mA dI
G
/dt = 0.1 A/
μ
s.
50
A/
μ
s
T
stg
T
j
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
- 40 to + 150
- 40 to + 125
°
C
T
Maximum temperature for soldering during 10s
260
°
C
ABSOLUTE RATINGS
(limiting values)
DPAK
(Plastic)
I
T(RMS)
= 12A
V
DRM
/V
RRM
= 600V
I
GT
< 200
μ
A
HIGH I
TSM
= 110A (tp = 10ms)
FEATURES
The TS1220-600B is using a high performance
TOPGLASS PNPN technology and is intended for
applications requiring high surge capability (like
power tools, crowbar protection, capacitive dis-
charge ignition...).
DESCRIPTION
K
A
G
A
1/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TS12 | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600H | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TS1220-600B | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600B-TR | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H-E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR SCR 600V 115A 3PIN IPAK - Rail/Tube |
| TS1220-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
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