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参数资料
| 型号： | TS1220 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | SENSITIVE SCR |
| 中文描述： | 敏感可控硅 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | TS1220 |
P
G (AV)
= 0.2W P
GM
= 3 W (tp = 20
μ
s) I
GM
= 1.2 A (tp = 20
μ
s)
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case for D.C
1.5
°
C/W
Rth(j-a)
Junction to ambient (S = 0.5 cm
2
)
70
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Test Conditions
Type
Value
Unit
I
GT
V
D
=12V R
L
=140
Tj= 25
°
C
MAX
200
μ
A
V
GT
V
D
=12V R
L
=140
Tj= 25°C
MAX
0.8
V
V
GD
V
D
=12V(DC) R
L
=33
Tj= 25°C
MAX
0.1
V
V
RG
I
RG
= 10
μ
A
Tj= 25°C
MIN
8
V
I
H
I
T
=50mA I
G
=5mA R
GK
= 1k
Tj= 25°C
MAX
5
mA
V
TM
I
TM
= 24A tp= 380
μ
s
Tj= 25
°
C
MAX
1.6
V
I
DRM
VD= V
DRM
R
GK
= 220
Tj= 25°C
MAX
10
μ
A
I
RRM
V
R
= V
RRM
R
GK
= 220
Tj= 125°C
MAX
2
mA
dV/dt
V
D
=67%V
DRM
R
GK
= 220
Tj= 125
°
C
MIN
5
V/
μ
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ORDERING INFORMATION
Add "-TR" suffix for Tape and Reel shipment
TS 12 20 - 600 B
THYRISTOR
SENSITIVE
CURRENT
SENSITIVITY
VOLTAGE
PACKAGE
B = DPAK
TS1220-600B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TS12N20CS | Single N-Channel 4.5V Specified MicroSurf |
| TS12N30CS | DC-DC Converter Control and Synchronous AceFET |
| TS12 | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600B-TR | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
| TS1220-600H | SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TS1220-600B | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600B-TR | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H | 功能描述:SCR 12 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| TS1220-600H-E | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:THYRISTOR SCR 600V 115A 3PIN IPAK - Rail/Tube |
| TS1220-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SENSITIVE & STANDARD(12A SCRs) |
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