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参数资料
| 型号： | TS339IDT |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Micropower Quad CMOS Voltage Comparators |
| 中文描述： | 微四路CMOS电压比较器 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | TS339IDT |
Electrical Characteristics
TS339
4/9
3
Electrical Characteristics
Table 2.
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V, T
amb
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
io
Input Offset Voltage
(1)
V
ic
= 1.5V
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
1.
The specified offset voltage is the maximum value required to drive the output up to 2.5V or down to 0.3V.
5
6.5
mV
I
io
Input Offset Current
(2)
V
ic
= 1.5V
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
2.
Maximum values including unavoidable inaccuracies of the industrial test.
1
300
pA
I
ib
Input Bias Current
2)
V
ic
= 1.5V
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
1
600
pA
V
icm
Input Common Mode Voltage Range
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max
0
0
V
CC+
-1.2
V
CC+
-1.5
V
CMR
Common-mode Rejection Ratio
V
ic
= V
icm min.
70
dB
SVR
Supply Voltage Rejection Ratio
V
CC+
= 3V to 5V
70
dB
I
OH
High Level Output Current
V
id
= +1V, V
OH
= 3V
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
2
40
1000
nA
V
OL
Low Level Output Voltage
V
id
= -1V, I
OL
= +6mA
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
400
550
800
mV
I
CC
Supply Current (each comparator)
No load - Outputs low
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
9
20
25
μ
A
t
PLH
Response Time Low to High
V
ic
= 0V, f = 10kHz, T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max
C
L
= 50pF, Overdrive
= 5mV
TTL Input
1.5
0.7
μ
s
t
PHL
Response Time High to Low
V
ic
= 0V, f = 10kHz, R
L
= 5.1k
, C
L
= 50pF, Overdrive = 5mV
TTL Input
2.5
0.08
μ
s
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