参数资料
| 型号： | TS80C51RA2-VCE |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 72/84页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 256BYTE 40MHZ 44VQFP |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | 80C |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40/30MHz |
| 连通性： | UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 32 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-QFP |
| 包装： | 托盘 |
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dsPIC33FJ32GP302/304, dsPIC33FJ64GPX02/X04, AND dsPIC33FJ128GPX02/X04
DS70292G-page 76
2007-2012 Microchip Technology Inc.
EXAMPLE 5-2:
LOADING THE WRITE BUFFERS
EXAMPLE 5-3:
INITIATING A PROGRAMMING SEQUENCE
; Set up NVMCON for row programming operations
MOV
#0x4001, W0
;
MOV
W0, NVMCON
; Initialize NVMCON
; Set up a pointer to the first program memory location to be written
; program memory selected, and writes enabled
MOV
#0x0000, W0
;
MOV
W0, TBLPAG
; Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#0x6000, W0
; An example program memory address
; Perform the TBLWT instructions to write the latches
; 0th_program_word
MOV
#LOW_WORD_0, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_0, W3
;
TBLWTL W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
; 1st_program_word
MOV
#LOW_WORD_1, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_1, W3
;
TBLWTL W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
;
2nd_program_word
MOV
#LOW_WORD_2, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_2, W3
;
TBLWTL W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
; 63rd_program_word
MOV
#LOW_WORD_31, W2
;
MOV
#HIGH_BYTE_31, W3
;
TBLWTL W2, [W0]
; Write PM low word into program latch
TBLWTH W3, [W0++]
; Write PM high byte into program latch
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55, W0
MOV
W0, NVMKEY
; Write the 55 key
MOV
#0xAA, W1
;
MOV
W1, NVMKEY
; Write the AA key
BSET
NVMCON, #WR
; Start the erase sequence
NOP
; Insert two NOPs after the
NOP
; erase command is asserted
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PDF描述 |
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