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参数资料
| 型号： | TSC102IDT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 模拟信号调理 |
| 英文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO8 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 |
| 文件页数： | 21/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | TSC102IDT |
Electrical characteristics
TSC102
6/24
Doc ID 16754 Rev 1
Table 6.
Current sensing amplifier output stage
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Av
Gain
(variation of Va1 versus Vsense)
20
V/V
Voh1
A1 node high-level saturation
voltage
Voh1 =Vcc-Va1
Vsense = 1 V
Ia1 =1mA
-40° C< Tamb < 125° C
85
185
mV
Vol1
A1 node low-level saturation
voltage
Vsense =-1 V
Ia1 =1mA
-40° C< Tamb < 125° C
75
165
mV
Isc1
Short-circuit current
A1 connected to VCC or Gnd
10
30
mA
ΔVa1/ΔT Output voltage drift versus T(1)
Tmin < Tamb < Tmax
±400
ppm/°C
ΔVa1/ΔIa1 Output stage load regulation
-5 mA < Ia1< +5 mA
Ia1 sink or source current
0.4
±2
mV/mA
ΔVa1
Total output voltage accuracy(2)
Vsense = 50 mV
Tamb = 25° C
Tmin < Tamb < Tmax
±2.5
±4
%
ΔVa1
Total output voltage accuracy
Vsense = 100 mV
Tamb = 25° C
Tmin < Tamb < Tmax
±2.5
±4
%
ΔVa1
Total output voltage accuracy
Vsense = 20 mV
Tamb = 25° C
Tmin < Tamb < Tmax
±8
±10
%
ΔVa1
Total output voltage accuracy
Vsense = 10 mV
Tamb = 25° C
Tmin < Tamb < Tmax
±13
±16
%
1.
See Chapter 6: Parameter definitions on page 12 for the definition of output voltage drift versus temperature.
2.
Output voltage accuracy is the difference with the expected theoretical output voltage Va1-th =Av * Vsense. See Chapter 6 for
a more detailed definition.
Table 7.
Current sensing amplifier frequency response
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ts
Va1 settling to 1% final value
Vsense =10mV to 100mV,
Cload =47pF
7s
SR
Slew rate
Vsense =10mV to 100mV
0.2
0.4
V/s
BW
3 dB bandwidth
Cload = 47 pF
800
kHz
Table 8.
Current sensing amplifier noise
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
eN
Equivalent input noise voltage
f = 1 kHz
50
nV/
√Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TSM101ACD | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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