参数资料
| 型号： | TSC87251G2D-L16CE |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 11/77页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | 8x251 |
| 核心处理器： | C251 |
| 芯体尺寸： | 8/16-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | EBI/EMI，I²C，Microwire，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 32 |
| 程序存储器容量： | 32KB（32K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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19
AT/TSC8x251G2D
4135F–8051–11/06
Table 12.
Configuration Byte 1
UCONFIG1
Notes: 1. The CSIZE is only available on EPROM/OTPROM products.
2. Two or four bytes are transparently popped according to INTR when using the RETI
instruction. INTR must be set if interrupts are used with code executing outside
region FF:.
3. Use only for Step A compatibility; set this bit when WSB1:0# are used.
7654
3210
CSIZE
-
INTR
WSB
WSB1#
WSB0#
EMAP#
Bit
Number
Bit Mnemonic
Description
7
CSIZE
TSC87251G2D
On-Chip Code Memory Size bit(1)
Clear to select 16 KB of on-chip code memory (TSC87251G1D
product).
Set to select 32 KB of on-chip code memory (TSC87251G2D product).
TSC80251G2D
TSC83251G2D
Reserved
Set this bit when writing to UCONFIG1.
6-
Reserved
Set this bit when writing to UCONFIG1.
5-
Reserved
Set this bit when writing to UCONFIG1.
4INTR
Interrupt Mode bit(2)
Clear so that the interrupts push two bytes onto the stack (the two lower
bytes of the PC register).
Set so that the interrupts push four bytes onto the stack (the three bytes
of the PC register and the PSW1 register).
3WSB
Wait State B bit
(3)
Clear to generate one wait state for memory region 01:.
Set for no wait states for memory region 01:.
2WSB1#
Wait State B bits
Select the number of wait states for RD#, WR# and PSEN# signals for
external memory accesses (only region 01:).
WSB1#
WSB0#
Number of Wait States
00
3
01
2
10
1
11
0
1WSB0#
0EMAP#
On-Chip Code Memory Map bit
Clear to map the upper 16 KB of on-chip code memory (at FF:4000h-
FF:7FFFh) to the data space (at 00:C000h-00:FFFFh).
Set not to map the upper 16 KB of on-chip code memory (at FF:4000h-
FF:7FFFh) to the data space.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| TSC873CW RPG | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| TSC888BILT | 功能描述:电流灵敏放大器 Sense Amplifier 50 Gain RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量: 共模抑制比（最小值）:110 dB 输入补偿电压:80 uV 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流:350 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-16 封装:Reel |
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