参数资料
型号: TV02W101B-G
厂商: Comchip Technology
文件页数: 2/5页
文件大小: 0K
描述: TVS 200W 100V BIDIRECT SOD-123
标准包装: 3,000
电压 - 反向隔离(标准值): 100V
电压 - 击穿: 111V
功率(瓦特): 1000W
电极标记: 双向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123
供应商设备封装: SOD-123
包装: 带卷 (TR)
SMD Transient Voltage Suppressor
Rating and Characteristic Curves ( TV02W5V0-G Thru TV02W191-G)
150
125
100
75
50
25
Fig. 1 - Pulse Derating Curve
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Fig.2 - Steady State Power
Derating Curve
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75 100 125 150 175 200
Ambient Temperature, (°C)
Fig. 3 - Pulse Waveform
10
Lead Temperature, (°C)
Fig. 4 - Peak Pulse Power
Rating Curve
Tr=10μs
TJ=25°C
Pulse Width(td) is defined as
the point where the peak
100
Peak Value(I PP )
current decays 50% of I PPM
50
td
Half Value=I PP /2
10/1000 μ sec.Waveform
as defined by R.E.A.
1
0
0
1
2
Time, (ms)
3
4
0.1
0.1μs
1μs
10μs 100μs
Pulse Width
1ms
10ms
Fig. 5 - Maximum non-repetitive
surge current
30
T J = T J max.
8.3 ms single half sine-wave
20
10
0
1
10
100
Number of cycle at 60 Hz
REV:B
QW-BTV15
Comchip Technology CO., LTD.
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PDF描述
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参数描述
TV02W101B-HF 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, 100.0V, Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV02W101-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, VRWM=100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV02W101-HF 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, 100.0V, Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV02W110B-G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, VRWM=11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
TV02W110B-HF 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 200W, 11.0V, Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C