参数资料
| 型号： | TV50C171JB-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 5000W 170V BIDIRECT 5% SMC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 170V |
| 电压 - 击穿： | 189V |
| 功率（瓦特）： | 5000W |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | DO-214AB，（SMC） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SMD Transient Voltage Suppressor
COMCHIP
SMD Diodes Specialist
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (TV50C110-G thru TV50C441-G)
140
120
100
80
60
40
Fig.1 Pulse Derating Curve
350
300
250
200
150
100
Fig.2 Maximum Non-Repetitive
Surge Current
20
50
8.3ms single half
sine-wave (JEDEC method)
T J =T J max.
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
Ambient Temperature,TA ( O C)
Fig.4 Steady State Power Derating Curve
7
100
Number of Cycles at 60Hz
Fig.4 Peak Pulse Power Rating Curve
6
5
10
4
3
1
2
1
0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
1000
10000
Lead Temperature ( C)
O
Fig.5 Pulse Waveform
10000
Pulse Width,t d ( μ S)
Fig.6- Typical Junction Capacitance
t r =10 μ S
O
T J =25 C
Bi-directional
100
Peak value I PPM
Pulse width (t d ) is defined
as the point where the peak
current decay to 50% of I PP
1000
@zero bias
Uni-directional
@zero bias
Uni-directional
@V RWM
T J =25 C
50
0
td
Half value I PP /2
10/1000 μ S waveform
as defined by R.E.A.
100
10
1
O
f=1.0MHz
Bi-directional @ V RWM
0
1
2
3
4
1
10
100
1000
Time, (mS)
Reverse Breakdown Voltage, V BR (V)
REV:B
QW-BTV14
Comchip Technology CO., LTD.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TV50C170JB-G | TVS 5000W 17V BIDIRECT 5% SMC |
| TV50C161JB-G | TVS 5000W 160V BIDIRECT 5% SMC |
| TV50C160JB-G | TVS 5000W 16V BIDIRECT 5% SMC |
| RL0603FR-070R1L | RES .10 OHM 1/10W 1% 0603 SMD |
| 746603-4 | CONN RCPT 64POS TYPE C EUROCARD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TV50C171J-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 170V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TV50C180JB-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 18V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TV50C180J-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 18V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TV50C181JB-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 180V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| TV50C181J-G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5000W, 180V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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