- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20604 > U10BCT-E3/4W (Vishay General Semiconductor)DIODE 10A 100V 20NS DUAL TO220-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | U10BCT-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE 10A 100V 20NS DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
New Product
U(F,B)10BCT thru U(F,B)10DCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88967
Revision: 13-May-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Figure 3. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
12
10
8
6
4
2
0
0 25 50 75 100 125 150
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard Re
ctified C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
U(B)10xCT
UF10xCT
6
5
4
3
2
1
0
0123456
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
Average Forward Current (A)
D = 0.1
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
D = 0.2
D = tp/T tp
T
100
10
1
110100
Number of Cycles
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
TJ
= T
J
max.
10 ms Single Half Sine-Wave
Figure 4. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 5. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
100
10
1
0.1
0.1 0.5 0.9 1.3 1.7 2.1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
10 000
1000
100
10
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
1
0.1
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ
= 150 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
100
10
1
0.1 1
10
100
Reverse Voltage (V)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
J
u
nction Capacitance (pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BNT-EU-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W |
| 78M6618-IMR/F | IC PWR MEASUREMENT OCTAL 68-QFN |
| R1S12-0509/H | CONV DC/DC 1W 05VIN 09VOUT |
| VI-BNT-EU-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W |
| F931C336KCC | CAP TANT 33UF 16V 10% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| U10C05 | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:Switchmode Dual Ultrafast Power Rectifiers |
| U10C05PT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER |
| U10C10 | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:Switchmode Dual Ultrafast Power Rectifiers |
| U10C10PT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER |
| U10C15 | 制造商:MOSPEC 制造商全称:Mospec Semiconductor 功能描述:Switchmode Dual Ultrafast Power Rectifiers |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。