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参数资料
| 型号： | UG10BCT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE 10A 100V 20NS DUAL TO220-3 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 反向恢复时间(trr)： | 25ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
BYQ28E(F,B)-100 thru BYQ28E(F,B)-200, UG(F,B)10BCT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88549
Revision: 07-Jan-08
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
0
5
15
0
50
100
150
10
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
1
10
100
1
100
10
TC
= 105 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
100
10
1
0.1
0.01
0.2 0.4 0.0.6 1.0 1.28
1.4
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
1
10
100
1000
0.1
0 10020
40 60
80
TJ
= 100 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
0
50
25
50 75
100
125
10
20
30
Stored Charge/Re
v
erse Reco
v
ery Time
(nC/ns)
40
Junction Temperature (°C)
trr
Qrr
at 2 A, 20 A/μs
at 5 A, 50 A/μs
at 1 A, 100 A/μs
at 5 A, 50 A/μs
at 1 A, 100 A/μs
at 2 A, 20 A/μs
100
10
100
1
0.1 1 10
TJ
= 125 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC18DRTF-S13 | CONN EDGECARD 36POS .100 EXTEND |
| BYQ28E-200-E3/45 | DIODE ARRAY 200V 5A TO220AB |
| EEC18DREF-S13 | CONN EDGECARD 36POS .100 EXTEND |
| BYQ28E-150-E3/45 | DIODE ARRAY 150V 5A TO220AB |
| BYQ28E-100-E3/45 | DIODE UFAST DUAL 100V TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UG10BCTHE3/45 | 功能描述:整流器 100 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UG10CCT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Ultrafast Soft Recovery Rectifiers |
| UG10CCT/45 | 功能描述:整流器 150 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UG10CCT-E3/45 | 功能描述:整流器 150 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| UG10CCTHE3/45 | 功能描述:整流器 150 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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