参数资料
型号: UG30APT-E3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 87K
描述: DIODE 30A 50V 20NS DUAL TO3P-3
标准包装: 750
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.15V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 15µA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 50V
反向恢复时间(trr): 35ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
UG30APT thru UG30DPT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88762
Revision: 05-Jun-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse Leakage
C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 100 °C
TJ
= 25 °C
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
Junction Temperature (°C)
IF
= 15 A
VR
= 30
V
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
Reco
v
ered Store Change/Re
v
erse
Reco
v
ery Time (nC/ns)
0.1
1
10
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
TJ
= 125 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
PIN
1
PIN
3
CASE
PIN
2
TO-247AD (TO-3P)
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.142 (3.6)
0.138
(3.5)
0.170
(4.3)
0.086(2.18)
0.076 (1.93)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.127 (3.22)
0.117 (2.97)
0.048
(1.22)
0.044 (1.12)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
1
2
3
0.078
(1.9
8) REF.
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
10° TYP.
Both Sides
30°
10
1° REF.
Both Sides
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.118
(3.0)
0.108
(2.7)
相关PDF资料
PDF描述
GBC26DRES-S13 CONN EDGECARD 52POS .100 EXTEND
R1D-2415/H CONV DC/DC 1W 24VIN +/-15VOUT
RCC18DRYS CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
NR6020T4R7N INDUCTOR 4.7UH 2.4A 30% SMD
T95V106M6R3CSAL CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
相关代理商/技术参数
参数描述
UG30BPT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
UG30BPT-E3/45 功能描述:整流器 100 Volt 30 Amp 20ns Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
UG-30C/U 制造商:TE Connectivity 功能描述:
UG30CPT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Common-Cathode Ultrafast Plastic Rectifier
UG30CPT-E3/45 功能描述:整流器 150 Volt 30 Amp 20ns Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel