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参数资料
| 型号： | UG30DPT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE 30A 200V 20NS DUAL TO3P-3 |
| 标准包装： | 750 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 15µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
UG30APT thru UG30DPT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88762
Revision: 05-Jun-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 %
D
uty Cycle
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse Leakage
C
u
rrent (
μ
A)
TJ
= 100 °C
TJ
= 25 °C
Figure 5. Reverse Switching Characteristics Per Diode
Figure 6. Typical Junction Capacitance Per Diode
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
Junction Temperature (°C)
IF
= 15 A
VR
= 30
V
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 100 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 50 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
dI/dt = 150 A/μs
dI/dt = 20 A/μs
Reco
v
ered Store Change/Re
v
erse
Reco
v
ery Time (nC/ns)
0.1
1
10
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
TJ
= 125 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
PIN
1
PIN
3
CASE
PIN
2
TO-247AD (TO-3P)
0.245 (6.2)
0.225 (5.7)
0.645 (16.4)
0.625 (15.9)
0.323 (8.2)
0.313 (7.9)
0.142 (3.6)
0.138
(3.5)
0.170
(4.3)
0.086(2.18)
0.076 (1.93)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.225 (5.7)
0.205 (5.2)
0.127 (3.22)
0.117 (2.97)
0.048
(1.22)
0.044 (1.12)
0.795 (20.2)
0.775 (19.6)
0.840 (21.3)
0.820 (20.8)
1
2
3
0.078
(1.9
8) REF.
0.203 (5.16)
0.193 (4.90)
10° TYP.
Both Sides
30°
10
1° REF.
Both Sides
0.030 (0.76)
0.020 (0.51)
0.118
(3.0)
0.108
(2.7)
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