参数资料
型号: ULN2003ADR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 0K
描述: TRANS ARRAY DARL 16-SOIC
标准包装: 1
类型: 达林顿晶体管矩阵
驱动器/接收器数: 7/0
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 标准包装
其它名称: ULN2003ADR2GOSDKR
ULN2003A, ULQ2003A
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, and rating apply to any one device in the package, unless otherwise noted.)
Rating
Symbol
Value
Unit
Output Voltage
VO
50
V
Input Voltage
VI
30
V
Collector Current - Continuous
IC
500
mA
Base Current - Continuous
IB
25
mA
Operating Ambient Temperature Range
ULN2003A
ULQ2003A
TA
-20 to +85
-40 to +85
°C
Storage Temperature Range
Tstg
-55 to +150
°C
Junction Temperature
TJ
150
°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Case 751B, D Suffix
RqJA
100
°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Case 751B, D Suffix
RqJC
20
°C/W
Electrostatic Discharge Sensitivity (ESD)
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
Charged Device Model (CDM)
ESD
2000
400
1500
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
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PDF描述
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参数描述
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ULN2003ADRG3 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Darl Trans Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2003ADRG4 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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