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参数资料
型号： ULN2003ADR2G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 3/5页
文件大小： 0K
描述： TRANS ARRAY DARL 16-SOIC
标准包装： 1
类型： 达林顿晶体管矩阵
驱动器/接收器数： 7/0
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 16-SOIC
包装： 标准包装
其它名称： ULN2003ADR2GOSDKR
ULN2003A, ULQ2003A
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Leakage Current
(VO = 50 V, TA = +85°C)
(VO = 50 V, TA = +25°C)
ICEX
-
100
50
mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 350 mA, IB = 500 mA)
(IC = 200 mA, IB = 350 mA)
(IC = 100 mA, IB = 250 mA)
VCE(sat)
-
1.1
0.95
0.85
1.6
1.3
1.1
V
Input Current - On Condition
(VI = 3.85 V)
II(on)
-
0.93
1.35
mA
Input Voltage - On Condition
(VCE = 2.0 V, IC = 200 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 250 mA)
(VCE = 2.0 V, IC = 300 mA)
VI(on)
-
2.4
2.7
3.0
V
Input Current - Off Condition
(IC = 500 mA, TA = 85°C)
II(off)
50
100
-
mA
DC Current Gain
(VCE = 2.0 V, IC = 350 mA)
hFE
1000
-
Input Capacitance
CI
-
15
30
pF
Turn-On Delay Time
(50% EI to 50% EO)
ton
-
0.25
1.0
ms
Turn-Off Delay Time
(50% EI to 50% EO)
toff
-
0.25
1.0
ms
Clamp Diode Leakage Current
(VR = 50 V)
TA = +25°C
TA = +85°C
IR
-
50
100
mA
Clamp Diode Forward Voltage
(IF = 350 mA)
VF
-
1.5
2.0
V
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PDF描述
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参数描述
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ULN2003ADRG3 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Darl Trans Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2003ADRG4 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2003ADWR 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
ULN2003AFW 功能描述:IC DRIVER DARL 7CH 50V.5A 16-SOL RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 驱动器，接收器，收发器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:收发器 驱动器/接收器数:2/2 规程:RS232 电源电压:3 V ~ 5.5 V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC 包装:带卷 (TR)
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