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参数资料
| 型号： | UNR5115R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 中文描述： | 晶体管| 50V五（巴西）总裁| 100mA的一（c）|的SC - 70 |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | UNR5115R |
1
Transistors with built-in Resistor
UNR5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z
(UN5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/511D/511E/511F/
511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
I Features
G Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing and magazine packing.
I Resistance by Part Number
Marking Symbol
(R1)(R2)
G UNR5111
6A
10k
10k
G UNR5112
6B
22k
22k
G UNR5113
6C
47k
47k
G UNR5114
6D
10k
47k
G UNR5115
6E
10k
—
G UNR5116
6F
4.7k
—
G UNR5117
6H
22k
—
G UNR5118
6I
0.51
5.1k
G UNR5119
6K
1k
10k
G UNR5110
6L
47k
—
G UNR511D
6M
47k
10k
G UNR511E
6N
47k
22k
G UNR511F
6O
4.7k
10k
G UNR511H
6P
2.2k
10k
G UNR511L
6Q
4.7k
4.7k
G UNR511M
EI
2.2k
47k
G UNR511N
EW
4.7k
47k
G UNR511T
EY
22k
47k
G UNR511V
FC
2.2k
2.2k
G UNR511Z
FE
4.7k
22k
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
1 : Base
2 : Emitter
EIAJ : SC–70
3 : Collector
S–Mini Type Package
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
–50
V
Collector current
IC
–100
mA
Total power dissipation
PT
150
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
2.1
±0.1
1.3
±
0.1
0.9
±
0.1
0.7
±0.1
0.3
+0.1 -0
0.15
+0.1 -0.05
2.0
±
0.2
1.25
±0.1
0.425
1
3
2
0.65
0.2
0.65
0
to
0.1 0.2
±0.1
B
C
R1
R2
E
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR5115S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5213(UN5213) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR5214(UN5214) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR5215(UN5215) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR5215Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR5115S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5116 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR5116(UN5116) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR511600L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
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