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参数资料
| 型号： | UNR5215(UN5215) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 复合装置-内置晶体管，电阻， |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | UNR5215(UN5215) |
1
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
(UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/521D/521E/
521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z)
Silicon NPN epitaxial planer transistor
For digital circuits
s Features
q
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
q
S-Mini type package, allowing automatic insertion through tape
packing and magazine packing.
s Resistance by Part Number
Marking Symbol
(R1)(R2)
q
UNR5211
8A
10k
10k
q
UNR5212
8B
22k
22k
q
UNR5213
8C
47k
47k
q
UNR5214
8D
10k
47k
q
UNR5215
8E
10k
—
q
UNR5216
8F
4.7k
—
q
UNR5217
8H
22k
—
q
UNR5218
8I
0.51k
5.1k
q
UNR5219
8K
1k
10k
q
UNR5210
8L
47k
—
q
UNR521D
8M
47k
10k
q
UNR521E
8N
47k
22k
q
UNR521F
8O
4.7k
10k
q
UNR521K
8P
10k
4.7k
q
UNR521L
8Q
4.7k
4.7k
q
UNR521M
EL
2.2k
47k
q
UNR521N
EX
4.7k
47k
q
UNR521T
EZ
22k
47k
q
UNR521V
FD
2.2k
2.2k
q
UNR521Z
FF
4.7k
22k
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
1 : Base
2 : Emitter
EIAJ : SC–70
3 : Collector
SMini3-G1 Package
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
50
V
Collector current
IC
100
mA
Total power dissipation
PT
150
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
2.1
±0.1
1.3±0.1
0.3
+0.1
–0.0
2.0±0.2
1.25
±0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65) (0.65)
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0
to
0.1
0.9
+0.2 –0.1
0.15
+0.10
–0.05
5
°
10
°
B
C
R1
R2
E
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR5215Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5215R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5215S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5216(UN5216) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR5216Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR5216 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR5216(UN5216) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR521600L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| UNR5216Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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