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参数资料
| 型号： | UNR5215(UN5215) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 复合装置-内置晶体管，电阻， |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | UNR5215(UN5215) |
16
Transistors with built-in Resistor
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
0.4
10
100
1000
10000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
Characteristics charts of UNR521V
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
0
012
210
48
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.01
1
0.1
1
10
100
1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
– 25C
25C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
0.4
10
100
1000
10000
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
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PDF描述 |
|---|---|
| UNR5215Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5215R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5215S | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| UNR5216(UN5216) | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| UNR5216Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UNR5216 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
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| UNR5216Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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