参数资料
型号: UNR5215(UN5215)
英文描述: Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述: 复合装置-内置晶体管,电阻,
文件页数: 5/18页
文件大小: 285K
代理商: UNR5215(UN5215)
13
Transistors with built-in Resistor
Characteristics charts of UNR521K
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
VIN — IO
Characteristics charts of UNR521L
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
012
210
48
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.2mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
1.0mA
0.01
13
0.1
1
10
100
10
30
100
300
1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
240
200
160
120
80
40
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
012
210
48
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
0.01
13
0.1
1
10
100
10
30
100
300
1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
240
200
160
120
80
40
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
0.01
0.1
0.3
0.1
1
10
0.03
0.3
3
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current I
O (mA)
VO=0.2V
Ta=25°C
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PDF描述
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