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参数资料
| 型号： | UPA2201T1M-T1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2201T1M
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1 i
1 i 0
s
s
it e
5 i s
Li
V
i 0 Po
on
1
1 i 0
=
er
S( w
R
0
S
D
m
(V
is
si
s
at
io
Li
it e
Single Pulse
100
80
60
40
20
10
1
0.1
I D(pulse)
I D(DC) m
m
i
d
m )
)
D
G
i
p
n
m
Mounted on glass epoxy board of
i
d
PW
=
30
0
μ s
25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
0
0.01
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
T A - Ambient Temperature - ° C
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 113.6 ° C/W i
100
10
1
Single Pulse
Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
40
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V GS = 4.5 V
100
10
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
30
20
2.5 V
1
0.1
T ch = ? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
0.01
10
Pulsed
0.001
V DS = 10 V
Pulsed
0
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
V DS - Drain to Source Voltage - V
Data Sheet G19447EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2211T1M-T1-AT | MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2210T1M-T1-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| UPA2350T1P | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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