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参数资料
| 型号： | UPA2201T1M-T1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2201T1M
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
20
5
100
16
12
8
V DD = 16 V
10 V
4V
V GS
4
3
2
10
1
0.1
V GS = 6 V
0V
0.01
4
V DS
I D = 9 A
1
0.001
Pulsed
0
0
0.0001
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0.5
1
1.5
Q G - Gate Charge - nC
Data Sheet G19447EJ1V0DS
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2211T1M-T1-AT | MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2210T1M-T1-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2211T1M-T1-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8VSOF-SLIM RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| UPA2350T1P | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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