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参数资料
| 型号： | UPA2521T1H-T1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA2521
N-CHANNEL MOS FET
FOR SWITCHING
DESCRIPTION
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
The μ PA2521 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for DC/DC converter and power management
applications of portable equipments.
8
2.9 ± 0.1
0.65
5
A
0.17 ± 0.05
FEATURES
? Low on-state resistance
R DS(on)1 = 16.5 m Ω MAX. (V GS = 10 V, I D = 8.0 A)
R DS(on)2 = 25 m Ω MAX. (V GS = 4.5 V, I D = 4.0 A)
0 to 0.025
? Built-in gate protection diode
? Small and surface mount package (8-pin VSOF (2429))
? Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode
and other parts.)
0.32 ± 0.05
1
4
0.05 M S A
1, 2, 3 : Source
4 : Gate
5, 6, 7, 8: Drain
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C, All terminals are connected.)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
V DSS
V GSS
30
± 20
V
V
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)
Note1
I D(DC)
I D(pulse)
± 8
± 32
A
A
EQUIVALENT CIRCUIT
Total Power Dissipation
Note2
Total Power Dissipation (PW = 5 sec)
Note2
P T1
P T2
1.0
2.2
W
W
Drain
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Note3
T ch
T stg
I AS
150
? 55 to +150
8
° C
° C
A
Gate
Body
Diode
Single Avalanche Energy
Note3
E AS
6.4
mJ
Gate
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
Protection
Diode
Source
2. Mounted on FR-4 board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt
3. Starting T ch = 25 ° C, V DD = 15 V, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V, L = 100 μ H
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
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sales representative for availability and additional information.
Document No. G19187EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published March 2008 NS
Printed in Japan
2008
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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