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参数资料
| 型号： | UPA2521T1H-T1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V VSOF |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WSOF |
| 供应商设备封装： | 8-VSOF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2521
3
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
2
1
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
0.1
0.01
V DS = 10 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
40
Pulsed
30
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
40
30
20
10
0
V GS = 4.5 V
10 V
20
10
0
I D = 8.0 A
Pulsed
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
Pulsed
30
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
20
V GS = 4.5 V, I D = 4.0 A
1000
C iss
10
10 V, 8.0 A
100
C oss
C rss
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0
10
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G19187EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2018S2A2G30 | SWITCH TOGGLE SPDT MOM .4VA PCS |
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| IRF7526D1TRPBF | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2521T1H-T2-AT | 功能描述:MOSFET N-CH 30V VSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2550T1H-T1-AT | 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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