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参数资料
| 型号： | UPA2719AGR-E1-AT |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET LV 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2010pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | UPA2719AGR-E1-ATDKR |
μ PA2719AGR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
2.8
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on ceramic
100
80
2.4
2
substrate of
1200 mm 2 x 2.2 mm
1.6
60
1.2
40
20
0
0.8
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
-1000
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T A - Ambient Temperature - ° C
-100
-10
R DS(on) Limited
(at V GS = ? 10 V)
I D(DC)
I D(pulse)
PW = 100 μ s
1 ms
-1
-0.1
DC
Power Dissipation Limited
T A = 25°C
Single pulse
100 ms
10 ms
1200 mm x 2.2 mm
Mounted on ceramic substrate of
2
-0.01
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A)2
100
R th(ch-A)1
10
1
Single pulse, T A = 25°C
R th(ch-A)1 : Mounted on ceramic substrate of 1200 mm 2 x 2.2 mm
R th(ch-A)2 : Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet G19281EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2731UT1A-E1-AY | MOSFET P-CH 30V 8-HVSON |
| UPA2732UT1A-E1-AY | MOSFET LV 8HVSON |
| UPA2755AGR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| UPA2756GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
| UPA2757GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2719AGR-E2-AT | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2719GR | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET |
| UPA2719GR-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2720AGR-E1-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA2720AGR-E2-AT | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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