参数资料
型号: UPA2719AGR-E1-AT
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET LV 8SOP
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2010pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-PSOP
包装: 标准包装
其它名称: UPA2719AGR-E1-ATDKR
μ PA2719AGR
- 100
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
100
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
V DD = ? 15 V
- 10
-1
- 0.1
I AS = ? 10 A
V DD = ? 15 V
R G = 25 Ω
V GS = ? 20 → 0 V
Starting T ch = 25°C
E AS = 10 mJ
80
60
40
20
0
R G = 25 Ω
V GS = ? 20 → 0 V
I AS ≤ ? 10 A
0.01
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
L - Inductive Load - mH
ORDERING INFORMATION
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
PART NUMBER
LEAD PLATING
PACKING
PACKAGE
μ PA2719AGR-E1-AT
μ PA2719AGR-E2-AT
Note
Note
Pure Sn (Tin)
Tape 2500 p/reel
Power SOP8
0.08 g TYP.
Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode and other parts.)
6
Data Sheet G19281EJ1V0DS
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PDF描述
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参数描述
UPA2719AGR-E2-AT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA2719GR 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
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