- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录528 > UPA2731UT1A-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET P-CH 30V 8-HVSON Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | UPA2731UT1A-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8-HVSON |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 149nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-HVSON |
| 供应商设备封装： | 8-HVSON |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA2731UT1A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C, All terminals are connected.)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
TEST CONDITIONS
V DS = ? 30 V, V GS = 0 V
V GS = m 20 V, V DS = 0 V
V DS = ? 10 V, I D = ? 1 mA
MIN.
? 1.0
TYP.
MAX.
? 1
m 100
? 2.5
UNIT
μ A
nA
V
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = ? 10 V, I D = ? 22 A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 22 A
V DS = ? 10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = ? 15 V, I D = ? 22 A
V GS = ? 10 V
R G = 10 Ω
2.6
4.2
3620
1540
630
15
16
760
3.3
6.4
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
510
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = ? 24 V
V GS = ? 10 V
I D = ? 44 A
149
17
48
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 44 A, V GS = 0 V
I F = 44 A, V GS = 0 V
di/dt = 50 A/ μ s
0.85
87
60
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = ? 20 → 0 V
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS ( ? )
10%
0
V GS
90%
V DS ( ? )
?
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS ( ? )
0
V DS
Wave Form
V DS
0
90%
10% 10%
90%
V DD
Starting T ch
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r t d(off)
t off
t f
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = ? 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet G17640EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA2732UT1A-E1-AY | MOSFET LV 8HVSON |
| UPA2755AGR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| UPA2756GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC |
| UPA2757GR-E2-AT | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| UPA2790GR-E2-AT | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPA2732UT1A-E1-AY | 功能描述:MOSFET LV 8HVSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| UPA2735GR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m |
| UPA2735GR-E1-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m |
| UPA2735GR-E2-AT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m |
| UPA2736GR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:P-channel MOSFET -30 V, -14 A, 7.0 m |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。