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参数资料
| 型号： | UPA2790GR |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 开关N沟道和P沟道功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | UPA2790GR |
Data Sheet G16954EJ2V0DS
5
μ
PA2790GR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
(1) N-channel
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
A
- Ambient Temperature - C
d
00
20
40
60
80
100 120 140 160
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
- Ambient Temperature - C
P
T
00
20
40
60
80
100 120 140 160
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Mounted on ceramic
substrate of
2000 mm
2
x 1.6 mm
2 units
1 unit
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D(pulse)
Power Dissipation Limited
I
D(DC)
PW = 100
μ
s
1 ms
DC
R
DS(on)
Limited
(at V
GS
= 10 V)
10 ms
100 ms
T
A
= 25°C
Single pulse
Mounted on ceramic substrate of
2000 mm
2
x 1.6 mm
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
0.1
1
10
100
1000
T
A
= 25°C, Single pulse, 1 unit
Mounted on ceramic substrate of 2000 mm
2
x 1.6 mm
R
th(ch-A)
= 73.5°C/W
PW - Pulse Width - s
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述 |
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