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参数资料
| 型号： | UPA602T-T1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA602T
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
100
50
10
5
I D = 10 mA
Pulsed
measurement
1 000
500
100
50
V GS = 10 V
Pulsed
measurement
T A = 75 ?C
25 ?C
–25 ?C
1
1
5 10 50
100
10
10
50 100
500
1 000
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
I D - Drain Current - mA
CAPACITANCE vs.
DARIN TO SOURCE VOLTAGE
30
V GS = 10 V
100
Pulsed
measurement
C iss
20
10
0
10
1
0.1
V GS = 0
f = 1 MHz
C oss
C rss
–30
0 30 60 90 120
150
0.1
1 10
100
100
50
T ch - Channel Temperature - ?C
SWITCHING CHARACTERISTICS
t d(off)
t f
t r
100
10
V DS - Drain to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
20
t d(on)
V DD = 5 V
1
10
10
20 50
V GS = 5 V
R G = 10 ?
100
0.1
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
4
I D - Drain Current - mA
V SD - Source to Drain Voltage - V
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PDF描述 |
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