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参数资料
| 型号： | UPA602T-T1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA602T
REFERENCE
Document Name
NEC semiconductor device reliability/quality control system
Quality grade on NEC semiconductor devices
Semiconductor device mounting technology manual
Guide to quality assurance for semiconductor devices
Semiconductor selection guide
Document No.
TEI-1202
IEI-1209
C10535E
MEI-1202
X10679E
5
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PDF描述 |
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