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参数资料
| 型号： | UPA602T-T2-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 欧姆 @ 10mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 16pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-59-6 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
μ PA602T
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
PARAMETER
Drain Cut-off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-State Resistance
Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
|y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
TEST CONDITIONS
V DS = 50 V, V GS = 0
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = 5.0 V, I D = 1.0 μ A
V DS = 5.0 V, I D = 10 mA
V GS = 4.0 V, I D = 10 mA
V GS = 10 V, I D = 10 mA
V DS = 5.0 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz
MIN.
0.8
20
TYP.
1.4
19
15
16
MAX.
1.0
± 1.0
1.8
30
25
UNIT
μ A
μ A
V
mS
?
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
12
3
pF
pF
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS(on) = 5.0 V, R G = 10 ? , V DD = 5.0 V,
I D = 10 mA, R L = 500 ?
17
10
68
38
ns
ns
ns
ns
Marking: IA
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS (RESISTANCE LOADED)
V GS
DUT
R L
Gate
voltage
waveform
0
10 %
V GS(on)
90 %
V DD
PG.
R G
Drain
I D
10 %
90 %
I D
90 %
10 %
current
waveform
V GS
0
τ
t d(on)
t on
t r t d(off)
t off
t f
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1 %
2
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